Một chùm tia laze hẹp có công suất 3mW, bước sóng 0 , 6 μm được chiếu cào một tấm bán dẫn Si thì xảy ra hiện tượng quang điện. Biết cứ 8 hạt photon bay vào có 2 hạt bị hấp thụ và sau khi hấp thụ, electron này được giải phóng ra khỏi liên kết. Số hạt tải điện được sinh ra sau khi chiếu chùm laze trong 5 giây là:
A. 1 , 13 . 10 16
B. 1 , 53 . 10 16
C. 2 , 26 . 10 16
D. 3 , 2 . 10 16
Chiếu một chùm tia laze hẹp có công suất 2 mW và bước sóng 0,7 μm vào một chất bán dẫn Si thì hiện tượng quang điện trong xảy ra. Biết cứ 5 hạt photon bay vào thì có 1 hạt photon bị electron hấp thụ và sau khi hấp thụ photon thì electron này được giải phóng khỏi liên kết. Số hạt tải điện sinh ra khi chiếu tia laze trong 4 s là
A. 5,635.1017
B. 1,127.1016
C. 5,635.1016.
D. 1,127.1017.
Bình thường một khối bán dẫn có 10 10 hạt tải điện. Chiếu tức thời vào khối bán dẫn đó một chùm ánh sáng hồng ngoại λ =993,75 mm có năng lượng E = 1 , 5 . 10 - 7 J thì số lượng hạt tải điện trong khối bán dẫn này là 3. 10 10 . Tính tỉ số giữa số photon gây ra hiện tượng quang dẫn và số photon chiếu tói kim loại
A. 1 75
B. 1 100
C. 2 75
D. 1 50
Bình thường một khối bán dẫn có 10 10 hạt tải điện. Chiếu tức thời vào khối bán dẫn đó một chùm ánh sáng hồng ngoại λ = 993 , 75 nm có năng lượng E = 1 , 5 . 10 - 7 J thì số lượng hạt tải điện trong khối bán dẫn này là 3 . 10 10 . Tính tỉ số giữa số photon gây ra hiện tượng quang dẫn và số photon chiếu tới kim loại ?
A. 1/50
B. 1/100
C. 1/75
D. 2/75
Laze A phát ra chùm bức xạ có bước sóng 0,45 μ m với công suất 0,8W. Laze B phát ra chùm bức xạ có bước sóng 0,6 μ m với công suất 0,5 W. Tỉ số giữa số photon của laze B và số pho ton laze A phát ra trong mỗi giây là
A. 6/5
B. 1
C. 5/6
D. 2
Chiếu bức xạ tử ngoại có bước sóng 0,26 μ m , công suất 0,3 mW vào bề mặt một tấm kẽm thì có hiện tượng quang điện xảy ra. Biết rằng cứ 1000 phôtôn tử ngoại đập vào kẽm thì có 1 electron thoát ra. Số quang electron thoát ra từ tấm kẽm trong ls là
A. 3 , 92 . 10 12
B. 1 , 76 . 10 17
C. 3 , 92 . 10 11
D. 1 , 76 . 10 11
Chiếu một chùm bức xạ đơn sắc vào một tấm kẽm có giới hạn quang điện 0,35 μm . Hiện tượng quang điện sẽ không xảy ra khi chùm bức xạ có bước sóng
A. 0,1 μm
B. 0,2 μm
C. 0,3 μm
D. 0,4 μm
Chiếu bức xạ có bước sóng 533 nm lên tấm kim loại có công thoát A=3. 10 - 19 J. Dùng màn chắn tách ra một chùm hẹp các electron quang điện và cho bay vào từ trường theo phương vuông góc với đường cảm ứng từ. Biết bán kính cực đại của quỹ đạo của các electron quang điện là 22,75 mm. Độ lớn cảm ứng từ B của từ trường là
A. 2,5. 10 - 3 T B. 1,0. 10 - 3 T C. 1,0. 10 - 4 T D. 2,5. 10 - 4 T
A. 2,5. 10 - 3 T
B. 1,0. 10 - 3 T
C. 1,0. 10 - 4 T
D. 2,5. 10 - 3 T
Chiếu một chùm ánh sáng đơn sắc có tần số 10 15 Hz vào ca tốt một tế bào quang điện thì xảy ra hiện tượng quang điện ngoài. Biết hiệu suất của quá trình quang điện này là 0,05%. Lấy h = 6 , 625 . 10 - 34 Js. Nếu công suất của chùm sáng là 1 mW thì số electron quang điện bật ra khỏi ca tốt trong 1 s là
A. 7 , 55 . 10 14
B. 1 , 51 . 10 25
C. 1 , 51 . 10 11
D. 7 , 55 . 10 11
Chiếu một chùm bức xạ đơn sắc vào một tấm kẽm có giới hạn quang điện 0,35 μ m . Hiện tượng quang điện sẽ không xảy ra khi trùm sáng có bước sóng:
A. 0,1 μ m
B. 0,2 μ m
C. 0,3 μ m
D. 0,4 μ m
