Khi kim điện kế bị lệch nhiều nhất thì tại đó là vân sáng. Cứ sau 0,5mm thì kim điện kế lại bị lệch nhiều nhất nên khoảng vân i = 0,5mm
Bước sóng của bức xạ:
Khi kim điện kế bị lệch nhiều nhất thì tại đó là vân sáng. Cứ sau 0,5mm thì kim điện kế lại bị lệch nhiều nhất nên khoảng vân i = 0,5mm
Bước sóng của bức xạ:
Giả sử làm thí nghiệm I–âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.
A. 833 nm.
B. 888 nm.
C. 925 nm.
D. 756 nm.
Giả sử làm thí nghiệm I-âng với hai khe cách nhau một khoảng a, màn quan sát cách hai khe D. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Nếu tăng a gấp đôi và tăng D thêm 0,3 m, lặp lại thí nghiệm thì thấy cứ sau 0,3 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính D.
A. 2 m
B. 1,2 m.
C. 1,5 m.
D. 2,5 m
Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?
A. 0,8 mm
B. 0,3 mm.
C. 0,6 mm.
D. 0,4 mm.
Giả sử làm thí nghiệm I-âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 3 m m , màn quan sát cách hai khe D = 0 , 45 m , thí nghiệm với bức xạ tử ngoại. Đặt một tấm giấy ảnh lên trước màn quan sát thì sau khi tráng trên giấy hiện một loạt vạch đen song song, cách đều nhau. Khoảng cách giữa vạch đen thứ nhất đến vạch đen thứ 37 cùng phía so với vạch chính giữa là 1,39 mm. Bước sóng của bức xạ l
A. 833 nm.
B. 288 nm.
C. 257 nm.
D. 756 nm.
Thực hiện thí nghiệm Y âng về giao thoa với ánh sáng có bước sóng λ. Trên màn quan sát, tại điểm M có vân sáng. Giữ cố định các điều kiện khác, di chuyển dần màn quan sát dọc theo đường thẳng vuông góc với mặt phẳng chứa hai khe ra xa một đoạn nhỏ nhất là 1/7 m thì M chuyến thành vân tối. Dịch thêm một đoạn nhỏ nhất 16/35 m thì M lại là vân tối. Tính khoảng cách hai khe đến màn ảnh khi chưa dịch chuyển
A. 2 m
B. 1 m
C. 1,8 m
D. 1,5 m
Thực hiện thí nghiệm Y-âng về giao thoa với ánh sáng có bước sóng λ . Trên màn quan sát, tại điểm M có vân sáng. Giữ cố định các điều kiện khác, di chuyển dần màn quan sát dọc theo đường thẳng vuông góc với mặt phẳng chứa hai khe ra xa một đoạn nhỏ nhất là 1/7m thì M lại là vân tối. Dịch thêm một đoạn nhỏ nhất 16/35, thì M lại là vân tối. Khoảng cách hai khe đến màn ảnh khi chưa dịch chuyển bằng
A. 3m
B. 1m
C. 1,8m
D. 1,5m
Trong thí nghiệm về giao thoa ánh sáng của Y-âng, hai khe cách nhau một khoảng a, khoảng cách từ mặt phẳng chứa hai khe đến màn quan sát là D, hình ảnh giao thoa thu được trên màn có khoảng vân i. Bức xạ chiếu vào hai khe có bước sóng A được xác định bởi công thức
A. λ = a D i
B. λ = D a i
C. λ = a i D
D. λ = i a D
Thí nghiệm giao thoa I-âng với ánh sáng đơn sắc có bước sóng λ, khoảng cách giữa hai khe a = 1 mm. Ban đầu, tại M cách vân trung tâm 5,25 mm người ta quan sát được vân sáng bậc 5. Giữ cố định màn chứa hai khe, di chuyển từ từ màn quan sát ra xa và dọc theo đường thẳng vuông góc với mặt phẳng chứa hai khe một đoạn 0,75 m thì thấy tại M chuyển thành vân tối lần thứ hai. Bước sóng λ có giá trị là:
A. 0,60 μm
B. 0,50 μm
C. 0,70 μm
D. 0,64 μm
Trong thí nghiệm giao thoa ánh sáng với khe Y-âng, khoảng cách giữa hai khe là 2mm, khoảng cách từ hai khe đến màn quan sát là 2m. Chiếu ánh sáng trắng (có bước sóng từ 400nm đến 750nm) thì bức xạ đơn sắc có bước sóng ngắn nhất cho vân tối tại vị trí cách vân trung tâm 3,3mm là
A. 400nm.
B. 420nm
C. 440nm.
D. 500nm