Thí nghiệm Y-âng với hai khe cách nhau một khoảng 3 mm, màn quan sát cách hai khe là D, thí nghệm với bức xạ tử ngoại. Phủ lên màn quan sát một lớp bột huỳnh quang thì thấy các vạch sáng cách nhau 0,3 mm. Nếu tăng D thêm 30 cm thì cách vạch sáng cách nhau 0,36 mm. Giá trị của D là

A. 1,2 m

B. 1,5 m

C. 2,5 m

D. 2 m

Giả sử làm thí nghiệm I-âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 3   m m ,  màn quan sát cách hai khe D = 0 , 45   m ,  thí nghiệm với bức xạ tử ngoại. Đặt một tấm giấy ảnh lên trước màn quan sát thì sau khi tráng trên giấy hiện một loạt vạch đen song song, cách đều nhau. Khoảng cách giữa vạch đen thứ nhất đến vạch đen thứ 37 cùng phía so với vạch chính giữa là 1,39 mm. Bước sóng của bức xạ l

A. 833 nm.

B. 288 nm.

C. 257 nm.

D. 756 nm.

Giả sử làm thí nghiệm Y-âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 0,8 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m, thí nghiệm với bức xạ tử ngoại có bước sóng 360 nm. Đặt một tấm giấy ảnh lên trước màn quan sát thì sau khi tráng trên giấy hiện một loạt vạch đen song song, cách đều nhau. Khoảng cách giữa hai vạch đen liên tiếp trên giấy là

A. 0,33 mm.

B. 0,28 mm.

C. 0,54 mm.

D. 0,56 mm.

Giả sử làm thí nghiệm I–âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.

A. 833 nm.

B. 888 nm.

C. 925 nm.

D. 756 nm.

Giả sử làm thí nghiệm I–âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.

A. 833 nm.

B. 888 nm.

C. 925 nm.

D. 756 nm.

Giả sử làm thí nghiệm Y-âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.

A. 833 nm.

B. 888 nm.

C. 925 nm.

D. 756 nm.

Trong thí nghiệm Y-âng về giao thoa ánh sáng, hai khe cách nhau a=1mm  hai khe cách màn quan sát 1 khoảng D=2m. Chiếu vào hai khe đồng thời hai bức xạ có bước sóng  λ 1 = 0 , 4   μ m  và  λ 2 = 0 , 56 μ m . Hỏi trên đoạn MN với xM=10mm và xN=30 mm có bao nhiêu vạch đen của hai bức xạ trùng nhau:

A. 2

B. 5

C. 3

D. 4.

Trong thí nghiệm Y-âng về giao thoa ánh sáng, hai khe cách nhau a=1mm  hai khe cách màn quan sát 1 khoảng D=2m. Chiếu vào hai khe đồng thời hai bức xạ có bước sóng λ 1 = 0 , 4   μ m  và λ 2 = 0 , 56 μ m . Hỏi trên đoạn MN với xM=10mm và xN=30 mm có bao nhiêu vạch đen của hai bức xạ trùng nhau:

A. 2  

B. 5   

C. 3   

D. 4

Trong thí nghiệm I – âng về giao thoa ánh sáng, khoảng cách giữa hai khe là 0,5 mm, khoảng cách từ hai khe đến màn quan sát là 2 m. Nguồn sáng dùng trong thí nghiệm gồm hai bức xạ có bước sóng λ 1  = 450 nm và λ 2 = 600 nm. Trên màn quan sát, gọi M, N là hai điểm ở cùng một phía so với vân trung tâm và cách vân trung tâm lần lượt là 5,5 mm và 22 mm. Trên đoạn MN, số vị trí vân sáng trùng nhau của hai bức xạ là

A. 5.

B. 3.

C. 2.

D. 4.