Khi lực ép (áp lực) lên mặt tiếp xúc tăng thì lực ma sát tăng. Hệ số ma sát chỉ phụ thuộc vào tính chất của mặt tiếp xúc (vật liệu, tình trạng mặt tiếp xúc) => Chọn C
Hệ số ma sát giữa hai mặt tiếp xúc sẽ thay đổi như thế nào nếu lực ép hai mặt đó tăng lên.
A. Giảm đi.
B. Không thay đổi.
C. Không biết được.
D. Tăng lên.
Một vật trượt có ma sát trên một mặt tiếp xúc nằm ngang. Nếu vận tốc của vật đó tăng 2 lần thì độ lớn lực ma sát trượt giữa vật và mặt tiếp xúc sẽ:
A. tăng 2 lần
B. tăng 4 lần
C. giảm 2 lần
D. không đổi
Một hệ vật bao gồm hai vật m 1 = 16kg và m 2 = 4 kg. Hệ số ma sát giữa hai khối là μ = 0 , 5 . Bỏ qua ma sát giữa vật và mặt phẳng ngang. Lấy g = 10 m / s 2 Tính lực F → tối thiểu tác dụng lên m 1 để vật m 2 không trượt xuống.
A. 200 N.
B. 300 N.
C. 400 N.
D. 500 N.
Trong thí nghiệm Y-âng, nguồn S phát bực xạ đơn sắc λ , màn quan sát cách mặt phẳng hai khe một khoảng không đổi D, khoảng cách giữa hai khe S 1 S 2 = a có thể thay đổi ( nhưng S 1 S 2 luôn cách đều S) . Xét điểm M trên màn, lúc đầu là tối thứ 2, nếu lần lượt giảm hoặc tăng khoảng cách S 1 S 2 một lượng b thì tại đó vân sáng bậc k và bậc 2k. Nếu tăng khoảng cách S 1 S 2 thêm 4b thì tại M là:
A. vân sáng bậc 4
B. vân sáng bậc 3
C. vân tối thứ 3
D. vân tối thứ 4
Trong thí nghiệm Y – âng về giao thoa ánh sáng, hai khe được chiếu bằng ánh sáng đơn sắc λ , màn quan sát cách mặt phẳng hai khe một khoảng không đổi D, khoảng cách giữa hai khe có thể thay đổi (nhưng S 1 , S 2 luôn cách đều S). Xét điểm M trên màn, lúc đầu là vân sáng bậc 9. Nếu lần lượt giảm hoặc tăng khoảng cách S 1 S 2 một lượng ∆ a thì tại đó là vân sáng bậc k và bậc 2k. Nếu giảm khoảng cách S 1 S 2 thêm ∆ a thì tại M là
A. vân sáng bậc 10
B. vân sáng bậc 6
C. vân sáng bậc 3
D. vân sáng bậc 12
Trong thí nghiệm Y – âng về giao thoa ánh sáng, hai khe được chiếu bằng ánh sáng đơn sắc λ , màn quan sát cách mặt phẳng hai khe một khoảng không đổi D, khoảng cách giữa hai khe có thể thay đổi (nhưng S 1 và S 2 luôn cách đều S). Xét điểm M trên màn, lúc đầu là vân sáng bậc 9. Nếu lần lượt giảm hoặc tăng khoảng cách S 1 S 2 một lượng ∆ a thì tại đó là vân sáng bậc k và bậc 2k. Nếu giảm khoảng cách thêm thì tại M là
A. vân sáng bậc 10
B. vân sáng bậc 6
C. vân sáng bậc 3
D. vân sáng bậc 12
Trong thí nghiêm Y-âng, nguồn S phát bức xạ đơn sắc λ, màn quan sát cách mặt phẳng hai khe một khoảng không đổi D, khoảng cách giữa hai khe S 1 S 2 = a có thể thay đổi ( nhưng S 1 và S 2 luôn cách đều S). Xét điểm M trên mà, lúc đầu là vân sáng bậc 4, nếu lần lượt giảm hoặ tăng khoảng cách S 1 S 2 một lượng ∆a thì tại đó tương ứng là vân sáng bậc k hoặc 3k. Nếu tăng khoảng cách S 1 S 2 thêm 2∆a thì tại M là:
A. Vân sáng bậc 8
B. vân tối thứ 9
C. vân sáng bậc 9
D. vân sáng bậc 7
Trong thí nghiệm Y-âng, nguồn S phát bức xạ đơn sắc λ , màn quan sát cách mặt phẳng hai khe một khoảng không đổi D, khoảng cách giữa hai khe S 1 S 2 =a có thể thay đổi (nhưng S 1 và S 2 luôn cách đều S). Xét điểm M trên màn, lúc đầu là vân sáng bậc 4, nếu lần lượt giảm hoặc tăng khoảng cách S 1 S 2 một lượng ∆ a thì tại đó là vân sáng bậc k và bậc 3k. Nếu tăng khoảng cách S 1 S 2 thêm 2 ∆ a thì tại M là
A. vân tối thứ 9.
B. vân sáng bậc 9.
C. vân sáng bậc 7.
D. vân sáng bậc 8.
Trong thí nghiệm Y-âng, nguồn S phát bức xạ đơn sắc λ , màn quan sát cách mặt phẳng hai khe một khoảng không đổi D, khoảng cách giữa hai khe S 1 S 2 =a có thể thay đổi (nhưng S 1 và S 2 luôn cách đều S). Xét điểm M trên màn, lúc đầu là vân sáng bậc 4, nếu lần lượt giảm hoặc tăng khoảng cách S 1 S 2 một lượng ∆ a thì tại đó là vân sáng bậc k và bậc 3k. Nếu tăng khoảng cách S 1 S 2 thêm ∆ a thì tại M là:
A. vân sáng bậc 9
B. vân tối thứ 9
C. vân sáng bậc 7
D. vân sáng bậc 8
