Chọn: B
Hướng dẫn: Tranzito bán dẫn có cấu tạo gồm hai lớp tiếp xúc p – n.
Đúng 0
Bình luận (0)
Các câu hỏi tương tự
Câu nào dưới đây nói về lớp chuyển tiếp p-n là không đúng ?A. Lớp chuyển tiếp p-n là chỗ tiếp xúc của miền mang tính dẫn p và miền mang tính dẫn n được tạo ra trên một tinh thể bán dẫn.B. Tại lớp chuyển tiếp p-n, do quá trình khuếch tán và tái hợp của các êlectron và lỗ trống nên hình thành một lớp nghèo hạt tải điện và có điện trở rất lớn.C. Ở hai bên lớp nghèo, về phía bán dẫn n có các ion axepto tích điện dương, về phía bán dẫn p có các ion đôno tích điện âm.D. Lớp chuyển tiếp p-n có tính chấ...
Đọc tiếp
Câu nào dưới đây nói về lớp chuyển tiếp p-n là không đúng ?
A. Lớp chuyển tiếp p-n là chỗ tiếp xúc của miền mang tính dẫn p và miền mang tính dẫn n được tạo ra trên một tinh thể bán dẫn.
B. Tại lớp chuyển tiếp p-n, do quá trình khuếch tán và tái hợp của các êlectron và lỗ trống nên hình thành một lớp nghèo hạt tải điện và có điện trở rất lớn.
C. Ở hai bên lớp nghèo, về phía bán dẫn n có các ion axepto tích điện dương, về phía bán dẫn p có các ion đôno tích điện âm.
D. Lớp chuyển tiếp p-n có tính chất chỉ cho dòng điện chạy qua nó theo một chiều nhất định từ miền p sang miền n nên được sử dụng làm điôt bán dẫn.
Nêu hai loại bán dẫn: loại n và loại p, loại hạt mang điện chủ yếu trong từng loại bán dẫn, tính chất dẫn điện một chiều của lớp tiếp xúc p-n.
Dòng điện ngược qua lớp tiếp xúc p - n được tạo ra khi A. điện trường ngoài đặt vào cùng chiều với điện trường trong của lớp tiếp xúc p - n B. nối bán dẫn p với cực âm, bán dẫn n với cực dương của nguồn điện bên ngoài. C. chỉ có dòng chuyển dời có hướng của các hạt mang điện không cơ bản qua lớp tiếp xúc p - n D. A và B
Đọc tiếp
Dòng điện ngược qua lớp tiếp xúc p - n được tạo ra khi
A. điện trường ngoài đặt vào cùng chiều với điện trường trong của lớp tiếp xúc p - n
B. nối bán dẫn p với cực âm, bán dẫn n với cực dương của nguồn điện bên ngoài.
C. chỉ có dòng chuyển dời có hướng của các hạt mang điện không cơ bản qua lớp tiếp xúc p - n
D. A và B
Hiệu điện thế của lớp tiếp xúc p-n có tác dụng:
A. Tăng cường sự khuếch tán của các hạt cơ bản
B. Tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn p sang bán dẫn n
C. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p
D. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Hiệu điện thế của lớp tiếp xúc p-n có tác dụng: A. Tăng cường sự khuếch tán của các hạt cơ bản B. Tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn p sang bán dẫn n C. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p D. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Đọc tiếp
Hiệu điện thế của lớp tiếp xúc p-n có tác dụng:
A. Tăng cường sự khuếch tán của các hạt cơ bản
B. Tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn p sang bán dẫn n
C. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p
D. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Hiệu điện thế của lớp tiếp xúc p – n có tác dụng: A. Tăng cường sự khuếch tán của các hạt cơ bản B. Tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn p sang bán dẫn n C. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p D. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Đọc tiếp
Hiệu điện thế của lớp tiếp xúc p – n có tác dụng:
A. Tăng cường sự khuếch tán của các hạt cơ bản
B. Tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn p sang bán dẫn n
C. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p
D. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Dòng điện thuận qua lớp tiếp xúc p − n khi: A. Điện trường ngoài đặt vào cùng chiều với điện trường trong của lớp tiếp xúc p – n. B. Nối bán dẫn p với cực dương, bán dẫn n với cực âm của nguồn điện bên ngoài. C. chỉ có dòng chuyển dời có hướng của các hạt mang điện cơ bản qua lớp tiếp xúc p – n. D. B và C
Đọc tiếp
Dòng điện thuận qua lớp tiếp xúc p − n khi:
A. Điện trường ngoài đặt vào cùng chiều với điện trường trong của lớp tiếp xúc p – n.
B. Nối bán dẫn p với cực dương, bán dẫn n với cực âm của nguồn điện bên ngoài.
C. chỉ có dòng chuyển dời có hướng của các hạt mang điện cơ bản qua lớp tiếp xúc p – n.
D. B và C
Phát biểu nào dưới đây về tranzito là chính xác A. Một lớp bán dẫn p kẹp giữa hai lớp bán dẫn n là một tranzito n-p-n. B. Một lớp bán dẫn n mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn p không thể xem là một tranzito. C. Một lớp bán dẫn p mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn n luôn có khả năng khuếch đại. D. Trong tranzito n-p-n, bao giờ mật độ hạt tải điện miền êmitơ cũng cao hơn miền bazơ.
Đọc tiếp
Phát biểu nào dưới đây về tranzito là chính xác
A. Một lớp bán dẫn p kẹp giữa hai lớp bán dẫn n là một tranzito n-p-n.
B. Một lớp bán dẫn n mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn p không thể xem là một tranzito.
C. Một lớp bán dẫn p mỏng kẹp giữa hai lớp bán dẫn n luôn có khả năng khuếch đại.
D. Trong tranzito n-p-n, bao giờ mật độ hạt tải điện miền êmitơ cũng cao hơn miền bazơ.
Khi lớp tiếp xúc p – n được phân cực thuận, điện trường ngoài có tác dụng A. Tăng cường sự khuếch tán của các không hạt cơ bản B. Tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn n sang bán dẫn p C. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p D. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Đọc tiếp
Khi lớp tiếp xúc p – n được phân cực thuận, điện trường ngoài có tác dụng
A. Tăng cường sự khuếch tán của các không hạt cơ bản
B. Tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn n sang bán dẫn p
C. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p
D. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Khi lớp tiếp xúc p-n được phân cực thuận, điện trường ngoài có tác dụng: A. Tăng cường sự khuếch tán của các không hạt cơ bản B. Tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn n sang bán dẫn p C. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p D. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n
Đọc tiếp
Khi lớp tiếp xúc p-n được phân cực thuận, điện trường ngoài có tác dụng:
A. Tăng cường sự khuếch tán của các không hạt cơ bản
B. Tăng cường sự khuếch tán các lỗ trống từ bán dẫn n sang bán dẫn p
C. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn n sang bán dẫn p
D. Tăng cường sự khuếch tán các electron từ bán dẫn p sang bán dẫn n