Giả sử ta làm thí nghiệm Y-âng với hai khe cách nhau một khoảng a= 2mm, và màn quan sát cách hai khe D= 1,2m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn D theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5mm thì kim điện kể lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.
Những câu hỏi liên quan
Giả sử ta làm thí nghiệm Y – âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2mm, và màn quan sát cách hai khe D = 1,2m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn D theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.
Khi kim điện kế bị lệch nhiều nhất thì tại đó là vân sáng. Cứ sau 0,5mm thì kim điện kế lại bị lệch nhiều nhất nên khoảng vân i = 0,5mm
Bước sóng của bức xạ:
Đúng 0
Bình luận (0)
Giả sử làm thí nghiệm Y-âng với hai khe cách nhau một khoảng a 2 mm, màn quan sát cách hai khe D 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ. A. 833 nm. B. 888 nm. C. 925 nm. D. 756 nm.
Đọc tiếp
Giả sử làm thí nghiệm Y-âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.
A. 833 nm.
B. 888 nm.
C. 925 nm.
D. 756 nm.
Giả sử làm thí nghiệm I–âng với hai khe cách nhau một khoảng a 2 mm, màn quan sát cách hai khe D 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ. A. 833 nm. B. 888 nm. C. 925 nm. D. 756 nm.
Đọc tiếp
Giả sử làm thí nghiệm I–âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.
A. 833 nm.
B. 888 nm.
C. 925 nm.
D. 756 nm.
Đáp án A
Chỗ đặt mối hàn mà kim điện kế lệch nhiều nhất, chính là một vân sáng, vậy i = 0,5mm
Do đó :
Đúng 0
Bình luận (0)
Giả sử làm thí nghiệm I–âng với hai khe cách nhau một khoảng a 2 mm, màn quan sát cách hai khe D 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ. A. 833 nm. B. 888 nm. C. 925 nm. D. 756 nm.
Đọc tiếp
Giả sử làm thí nghiệm I–âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 2 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính bước sóng của bức xạ.
A. 833 nm.
B. 888 nm.
C. 925 nm.
D. 756 nm.
Chỗ đặt mối hàn mà kim điện kế lệch nhiều nhất, chính là một vân sang, vậy i = 0,5mm
Do đó
Đáp án A
Đúng 0
Bình luận (0)
Giả sử làm thí nghiệm I-âng với hai khe cách nhau một khoảng a, màn quan sát cách hai khe D. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Nếu tăng a gấp đôi và tăng D thêm 0,3 m, lặp lại thí nghiệm thì thấy cứ sau 0,3 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính D. A. 2 m B. 1,2 m. C. 1,5 m. D. 2,5 m
Đọc tiếp
Giả sử làm thí nghiệm I-âng với hai khe cách nhau một khoảng a, màn quan sát cách hai khe D. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn theo một đường vuông góc với hai khe, thì thấy cứ sau 0,5 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Nếu tăng a gấp đôi và tăng D thêm 0,3 m, lặp lại thí nghiệm thì thấy cứ sau 0,3 mm thì kim điện kế lại lệch nhiều nhất. Tính D.
A. 2 m
B. 1,2 m.
C. 1,5 m.
D. 2,5 m
Chọn C
i = λ D a = 0 , 5.10 − 3 i ' = λ D ' a ' = λ D + 0 , 3 2 a = 0 , 3.10 − 3 ⇒ D + 0 , 3 D = 1 , 2 ⇒ D = 1 , 5 m
Đúng 0
Bình luận (0)
Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất? A. 0,8 mm. B. 0,3 mm. C. 0,6 mm. D. 0,4 mm.
Đọc tiếp
Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?
A. 0,8 mm.
B. 0,3 mm.
C. 0,6 mm.
D. 0,4 mm.
Đáp án A
Khoảng vân giao thoa: 
Vị trí mà kim điện kế lệch nhiều nhất chính là vị trí các vân sáng giao thoa nên cứ sau một khoảng vân, kim điện kế lại lệch nhiều nhất.
Đúng 0
Bình luận (0)
Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất? A. 0,8 mm B. 0,3 mm. C. 0,6 mm. D. 0,4 mm.
Đọc tiếp
Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?
A. 0,8 mm
B. 0,3 mm.
C. 0,6 mm.
D. 0,4 mm.
Đáp án A
Khoảng vân giao thoa: 
Vị trí mà kim điện kế lệch nhiều nhất chính là vị trí các vân sáng giao thoa nên cứ sau một khoảng vân, kim điện kế lại lệch nhiều nhất.
Đúng 0
Bình luận (0)
Trong thí nghiệm giao thoa Y- âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện từ vân trung tâm trên màn E theo đường song song với mặt phẳng hai khe thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?
A. 0,3 mm.
B. 0,6 mm.
C. 0,8 mm.
D. 0,4 mm.
Ta biết Vị trí vân sáng ứng với tại đó sóng ánh sáng tăng cường lẫn nhau và vị trí vân tối ứng với tại đó sóng ánh sáng gặp nhau triệt tiêu nhau. Vậy, khoảng cách giữa hai lần liên tiếp kim điện kế lại lệch nhiều nhất ứng với một khoảng vân i:
\(\iota=\frac{\text{λ}D}{a}=\frac{500.10^{-9}.2,4}{1,5.10^{-3}}=\)\(0,8.10^{-3}m=0,8mm\)
--->chọn C
Đúng 0
Bình luận (0)
Giả sử làm thí nghiệm Y-âng với hai khe cách nhau một khoảng a 0,8 mm, màn quan sát cách hai khe D 1,2 m, thí nghiệm với bức xạ tử ngoại có bước sóng 360 nm. Đặt một tấm giấy ảnh lên trước màn quan sát thì sau khi tráng trên giấy hiện một loạt vạch đen song song, cách đều nhau. Khoảng cách giữa hai vạch đen liên tiếp trên giấy là A. 0,33 mm. B. 0,28 mm. C. 0,54 mm. D. 0,56 mm.
Đọc tiếp
Giả sử làm thí nghiệm Y-âng với hai khe cách nhau một khoảng a = 0,8 mm, màn quan sát cách hai khe D = 1,2 m, thí nghiệm với bức xạ tử ngoại có bước sóng 360 nm. Đặt một tấm giấy ảnh lên trước màn quan sát thì sau khi tráng trên giấy hiện một loạt vạch đen song song, cách đều nhau. Khoảng cách giữa hai vạch đen liên tiếp trên giấy là
A. 0,33 mm.
B. 0,28 mm.
C. 0,54 mm.
D. 0,56 mm.